電磁波在穿過屏蔽罩體是發(fā)生衰減是因?yàn)槟芰坑辛藫p耗，這種損耗可以分成兩個(gè)部分：反射損耗和吸收損耗。
　　反射損耗：當(dāng)電磁波入射到不同媒質(zhì)的分界面時(shí)，就會發(fā)生反射，使穿過界面的電磁能量減弱。由于反射現(xiàn)象而造成的電磁能量損失稱為反射損耗，用字母R表示。當(dāng)電磁波穿過一層屏蔽體時(shí)要經(jīng)過兩個(gè)界面，要發(fā)生兩次反射。因此，電磁波穿過屏蔽體時(shí)的反射損耗等于兩個(gè)界面上的反 射損耗總和。反射損耗的計(jì)算公式如下：
　　R=20lg(ZW/ZS) (dB) 式中: ZW= 入射電磁波的波阻抗 ，ZS=屏蔽材料的特性阻抗
　　|ZS|=3.68×10-7(fμrσr)1/2式中: f= 入射電磁波的頻率 ，μr=相對磁導(dǎo)率，σr=相對電導(dǎo)率
　　吸收損耗：電磁波在屏蔽材料中傳播時(shí)，會有一部分能量轉(zhuǎn)換成熱量，導(dǎo)致電磁能量損失，損失的這部分能量成為屏蔽材料的吸收損耗，用字母A表示，計(jì)算 公式如下：
　　A=3.34t(fμrσr)1/2 (dB)
　　多次反射修正因子:電磁波在屏蔽體的第二個(gè)界面(穿出屏蔽體的界面)發(fā)生反射后，會再次傳輸?shù)降谝粋€(gè)界面，在第一個(gè) 界面發(fā)射再次反射，而再次到達(dá)第二個(gè)界面，在這個(gè)界面會有一部分能量穿透界面，泄漏到空間。這部分是額外泄漏的。應(yīng)該考慮進(jìn)屏蔽效能的計(jì)算。這就是多次反 射修正因子，用字母B表示，大部分場合，B都可以忽略。
　　SE = R + A + B